די ווירקונג פון הויך-מאַכט סיליציום קאַרבידע דייאָוד אויף PIN פאָטאָדעטעקטאָר

די ווירקונג פון הויך-מאַכט סיליציום קאַרבידע דייאָוד אויף PIN פאָטאָדעטעקטאָר

הויך-מאַכט סיליציום קאַרבידע PIN דייאָוד איז שטענדיק געווען איינער פון די האָצפּאָץ אין די פעלד פון מאַכט מיטל פאָרשונג. א PIN דייאָוד איז אַ קריסטאַל דייאָוד קאַנסטראַקטאַד דורך סאַנדוויטשינג אַ שיכטע פון ​​​​ינטרינסיק סעמיקאַנדאַקטער (אָדער סעמיקאַנדאַקטער מיט נידעריק קאַנסאַנטריישאַן פון ימפּיוראַטיז) צווישן די פּ + געגנט און די n + געגנט. די איך אין PIN איז אַן ענגליש אַבריווייישאַן פֿאַר די טייַטש פון "ינטרינסיק", ווייַל עס איז אוממעגלעך צו עקסיסטירן אַ ריין סעמיקאַנדאַקטער אָן ימפּיוראַטיז, אַזוי די I שיכטע פון ​​די PIN דייאָוד אין די אַפּלאַקיישאַן איז מער אָדער ווייניקער געמישט מיט אַ קליין סומע פון ​​​​P. -טיפּ אָדער N-טיפּ ימפּיוראַטיז. דערווייַל, די סיליציום קאַרבידע PIN דייאָוד דער הויפּט אַדאַפּץ מעסאַ סטרוקטור און פלאַך סטרוקטור.

ווען די אַפּערייטינג אָפטקייַט פון PIN דייאָוד יקסידז 100MHz, רעכט צו דער סטאָרידזש ווירקונג פון עטלעכע קאַריערז און די דורכפאָר צייט ווירקונג אין שיכטע איך, די דייאָוד פארלירט די רעקטאַפאַקיישאַן ווירקונג און ווערט אַ ימפּידאַנס עלעמענט, און די ימפּידאַנס ווערט ענדערונגען מיט די פאָרורטייל וואָולטידזש. ביי נול פאָרורטייל אָדער DC פאַרקערט פאָרורטייל, די ימפּידאַנס אין די I געגנט איז זייער הויך. אין דק פאָרויס פאָרורטייל, די I געגנט גיט אַ נידעריק ימפּידאַנס שטאַט רעכט צו טרעגער ינדזשעקשאַן. דעריבער, די PIN דייאָוד קענען זיין געוויינט ווי אַ בייַטעוודיק ימפּידאַנס עלעמענט, אין די פעלד פון מייקראַווייוו און רף קאָנטראָל, עס איז אָפט נייטיק צו נוצן סוויטשינג דעוויסעס צו דערגרייכן סיגנאַל סוויטשינג, ספּעציעל אין עטלעכע הויך-אָפטקייַט סיגנאַל קאָנטראָל סענטערס, PIN דייאָודז האָבן העכער. רף סיגנאַל קאָנטראָל קייפּאַבילאַטיז, אָבער אויך וויידלי געניצט אין פאַסע יבעררוק, מאַדזשאַליישאַן, לימאַטינג און אנדערע סערקאַץ.

הויך-מאַכט סיליציום קאַרבידע דייאָוד איז וויידלי געניצט אין מאַכט פעלד ווייַל פון זייַן העכער וואָולטידזש קעגנשטעל קעראַקטעריסטיקס, דער הויפּט געניצט ווי הויך-מאַכט רעקטאַפייער רער. די PIN דייאָוד האט אַ הויך פאַרקערט קריטיש ברייקדאַון וואָולטידזש VB, רעכט צו דער נידעריק דאָפּינג איך שיכטע אין די מיטן קעריינג די הויפּט וואָולטידזש קאַפּ. ינקרעאַסינג די גרעב פון זאָנע איך און רידוסינג די דאָפּינג קאַנסאַנטריישאַן פון זאָנע איך קענען יפעקטיוולי פֿאַרבעסערן די פאַרקערט ברייקדאַון וואָולטידזש פון די PIN דייאָוד, אָבער די בייַזייַן פון זאָנע איך וועט פֿאַרבעסערן די פאָרויס וואָולטידזש קאַפּ VF פון די גאנצע מיטל און די סוויטשינג צייט פון די מיטל צו אַ געוויסע מאָס, און די דייאָוד געמאכט פון סיליציום קאַרבידע מאַטעריאַל קענען מאַכן זיך פֿאַר די דיפישאַנסיז. סיליציום קאַרבידע 10 מאל די קריטיש ברייקדאַון עלעקטריק פעלד פון סיליציום, אַזוי אַז די סיליציום קאַרבידע דייאָוד איך זאָנע גרעב קענען זיין רידוסט צו 1/10 פון די סיליציום רער, מיט אַ הויך ברייקדאַון וואָולטידזש, קאַפּאַלד מיט די גוט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי פון סיליציום קאַרבידע מאַטעריאַלס , עס וועט זיין קיין קלאָר ווי דער טאָג היץ דיסיפּיישאַן פּראָבלעמס, אַזוי הויך-מאַכט סיליציום קאַרבידע דייאָוד איז געווארן אַ זייער וויכטיק רעקטאַפייער מיטל אין די פעלד פון מאָדערן מאַכט עלעקטראָניק.

ווייַל פון זיין זייער קליין פאַרקערט ליקאַדזש קראַנט און הויך טרעגער מאָביליטי, סיליציום קאַרבידע דייאָודז האָבן גרויס אַטראַקשאַן אין די פעלד פון פאָטאָעלעקטריק דיטעקשאַן. קליין ליקאַדזש קראַנט קענען רעדוצירן די טונקל קראַנט פון די דעטעקטאָר און רעדוצירן ראַש; הויך טרעגער מאָביליטי קענען יפעקטיוולי פֿאַרבעסערן די סענסיטיוויטי פון סיליציום קאַרבידע PIN דעטעקטאָר (PIN Photodetector). די הויך-מאַכט קעראַקטעריסטיקס פון סיליציום קאַרבידע דייאָודז געבן PIN דעטעקטאָרס צו דעטעקט שטארקער ליכט קוואלן און זענען וויידלי געניצט אין פּלאַץ פעלד. הויך מאַכט סיליציום קאַרבידע דייאָוד איז באַצאָלט ופמערקזאַמקייט ווייַל פון זייַן ויסגעצייכנט קעראַקטעריסטיקס, און זייַן פאָרשונג איז אויך זייער דעוועלאָפּעד.